R6006JNJGTL

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Numéro d'article R6006JNJGTL
LIXINC Part # R6006JNJGTL
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO R6006JNJGTL Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

R6006JNJGTL Caractéristiques

Numéro d'article:R6006JNJGTL
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:6A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):15V
rds sur (max) @ id, vgs:936mOhm @ 3A, 15V
vgs(th) (max) @ id:7V @ 800µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:15.5 nC @ 15 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:410 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):86W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:LPTS
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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