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Numéro d'article | TPH1110ENH,L1Q |
LIXINC Part # | TPH1110ENH,L1Q |
Fabricant | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | TPH1110ENH,L1Q Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 01 - Jul 05 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | TPH1110ENH,L1Q |
Marque: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
série: | U-MOSVIII-H |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 200 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 7.2A (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 114mOhm @ 3.6A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 200µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 7 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 600 pF @ 100 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 1.6W (Ta), 42W (Tc) |
température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | 8-SOP Advance (5x5) |
paquet / caisse: | 8-PowerVDFN |
BSS123W | MOSFET N-CH 100V 170MA SC70 | 1670 Plus sur la commande |
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PHB45NQ10T,118 | MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK | 5314 Plus sur la commande |
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NTLUS4930NTBG | MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN | 39713 Plus sur la commande |
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IPB80N04S3H4ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | 34850 Plus sur la commande |
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IPB160N04S4H1ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 | 1098 Plus sur la commande |
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IPB80N04S306ATMA1 | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 936 Plus sur la commande |
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CSD25481F4T | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR | 961 Plus sur la commande |
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FDP036N10A | MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 | 123516940 Plus sur la commande |
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BSS306NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 | 26053 Plus sur la commande |
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NTGS3443T1G | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP | 2147484490 Plus sur la commande |
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IPN70R360P7SATMA1 | MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 | 937 Plus sur la commande |
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IXTA170N075T2 | MOSFET N-CH 75V 170A TO263 | 2942 Plus sur la commande |
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2N7002KT1G | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 | 889 Plus sur la commande |
En stock | 10855 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.66128 | $0.66128 |
5000 | $0.66128 | $3306.4 |
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