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Numéro d'article | SIHU4N80E-GE3 |
LIXINC Part # | SIHU4N80E-GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SIHU4N80E-GE3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | SIHU4N80E-GE3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | E |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 800 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 4.3A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 1.27Ohm @ 2A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 32 nC @ 10 V |
vg (max): | ±30V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 622 pF @ 100 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 69W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | IPAK (TO-251) |
paquet / caisse: | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
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En stock | 10819 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.95070 | $0.9507 |
10 | $0.86165 | $8.6165 |
100 | $0.69788 | $69.788 |
500 | $0.54881 | $274.405 |
1000 | $0.45937 | $459.37 |
2500 | $0.42956 | $1073.9 |
5000 | $0.41465 | $2073.25 |
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