FDFMA2P853

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Numéro d'article FDFMA2P853
LIXINC Part # FDFMA2P853
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FDFMA2P853 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Aug 14 - Aug 18 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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FDFMA2P853 Caractéristiques

Numéro d'article:FDFMA2P853
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:PowerTrench®
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:3A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.8V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:6 nC @ 4.5 V
vg (max):±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:435 pF @ 10 V
fonction fet:Schottky Diode (Isolated)
puissance dissipée (max):1.4W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:6-MicroFET (2x2)
paquet / caisse:6-VDFN Exposed Pad

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