RM130N200HD

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Numéro d'article RM130N200HD
LIXINC Part # RM130N200HD
Fabricant Rectron USA
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 200V 132A TO263-2
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RM130N200HD Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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RM130N200HD Caractéristiques

Numéro d'article:RM130N200HD
Marque:Rectron USA
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rectron USA
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:132A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:10.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:4970 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):429W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:TO-263-2
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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