FDP047N08-F102 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDP047N08-F102

FDP047N08-F102

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	FDP047N08-F102
LIXINC Part #	FDP047N08-F102
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FDP047N08-F102 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 01 - Jul 05 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FDP047N08-F102 Caractéristiques

Numéro d'article:	FDP047N08-F102
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	75 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	164A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	4.7Ohm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	152 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	9415 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	268W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220-3
paquet / caisse:	TO-220-3