2SK3430-Z-E1-AZ | Renesas Electronics America 2SK3430-Z-E1-AZ | 2SK3430-Z-E1-AZ Inventory, Best Pricing

2SK3430-Z-E1-AZ

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	2SK3430-Z-E1-AZ
LIXINC Part #	2SK3430-Z-E1-AZ
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SK3430-Z-E1-AZ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

2SK3430-Z-E1-AZ Caractéristiques

Numéro d'article:	2SK3430-Z-E1-AZ
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	80A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	7.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	50 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2800 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.5W (Ta), 84W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220AB
paquet / caisse:	TO-220-3