IRF7807VD2TR | IR (Infineon Technologies) IRF7807VD2TR | IRF7807VD2TR Inventory, Best Pricing

IRF7807VD2TR

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Numéro d'article	IRF7807VD2TR
LIXINC Part #	IRF7807VD2TR
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRF7807VD2TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRF7807VD2TR Caractéristiques

Numéro d'article:	IRF7807VD2TR
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	FETKY™
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	8.3A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 4.5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	-
fonction fet:	Schottky Diode (Isolated)
puissance dissipée (max):	2.5W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SO
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)