IRL3502PBF | IR (Infineon Technologies) IRL3502PBF | IRL3502PBF Inventory, Best Pricing

IRL3502PBF

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IRL3502PBF
LIXINC Part #	IRL3502PBF
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRL3502PBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 07 - Jul 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRL3502PBF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRL3502PBF
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	HEXFET®
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	110A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 7V
rds sur (max) @ id, vgs:	7mOhm @ 64A, 7V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 4.5 V
vg (max):	±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	4700 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	140W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220AB
paquet / caisse:	TO-220-3