HAT2172H-EL-E

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Numéro d'article HAT2172H-EL-E
LIXINC Part # HAT2172H-EL-E
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO HAT2172H-EL-E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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HAT2172H-EL-E Caractéristiques

Numéro d'article:HAT2172H-EL-E
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:30A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):7V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:7.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:32 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2420 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):20W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:LFPAK
paquet / caisse:SC-100, SOT-669

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