SSM3K309T(TE85L,F)

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Numéro d'article SSM3K309T(TE85L,F)
LIXINC Part # SSM3K309T(TE85L,F)
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SSM3K309T(TE85L,F) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SSM3K309T(TE85L,F) Caractéristiques

Numéro d'article:SSM3K309T(TE85L,F)
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:4.7A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.8V, 4V
rds sur (max) @ id, vgs:31mOhm @ 4A, 4V
vgs(th) (max) @ id:-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
vg (max):±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1020 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):700mW (Ta)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:TSM
paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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