IRLR8103TR

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Numéro d'article IRLR8103TR
LIXINC Part # IRLR8103TR
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRLR8103TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRLR8103TR Caractéristiques

Numéro d'article:IRLR8103TR
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:HEXFET®
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:89A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA (Min)
charge de grille (qg) (max) @ vgs:50 nC @ 5 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
fonction fet:-
puissance dissipée (max):89W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:D-Pak
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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