AON6758_102 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AON6758_102

AON6758_102

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	AON6758_102
LIXINC Part #	AON6758_102
Fabricant	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	AON6758_102 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 16 - Sep 20 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

AON6758_102 Caractéristiques

Numéro d'article:	AON6758_102
Marque:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
série:	AlphaMOS
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	27A (Ta), 32A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	3.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1975 pF @ 15 V
fonction fet:	Schottky Diode (Body)
puissance dissipée (max):	4.1W (Ta), 41W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-DFN (5x6)
paquet / caisse:	8-VDFN Exposed Pad