2SJ438,Q(M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SJ438,Q(M

2SJ438,Q(M

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Numéro d'article	2SJ438,Q(M
LIXINC Part #	2SJ438,Q(M
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH TO220NIS
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SJ438,Q(M Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

2SJ438,Q(M Caractéristiques

Numéro d'article:	2SJ438,Q(M
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	*
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	-
technologie:	-
tension drain-source (vdss):	-
courant - drain continu (id) @ 25°c:	5A (Tj)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	-
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	-
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220NIS
paquet / caisse:	TO-220-3 Full Pack