NTHS2101PT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTHS2101PT1G

NTHS2101PT1G

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Numéro d'article	NTHS2101PT1G
LIXINC Part #	NTHS2101PT1G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NTHS2101PT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NTHS2101PT1G Caractéristiques

Numéro d'article:	NTHS2101PT1G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	8 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	5.4A (Tj)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.8V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 5.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 4.5 V
vg (max):	±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2400 pF @ 6.4 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.3W (Ta)
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	ChipFET™
paquet / caisse:	8-SMD, Flat Lead