FDJ128N

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Numéro d'article FDJ128N
LIXINC Part # FDJ128N
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6 FLMP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FDJ128N Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDJ128N Caractéristiques

Numéro d'article:FDJ128N
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:PowerTrench®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:5.5A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:35mOhm @ 5.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 5 V
vg (max):±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:543 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1.6W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:SC75-6 FLMP
paquet / caisse:SC75-6 FLMP

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