IRFD010PBF | Vishay / Siliconix IRFD010PBF | IRFD010PBF Inventory, Best Pricing

IRFD010PBF

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IRFD010PBF
LIXINC Part #	IRFD010PBF
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRFD010PBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 02 - Jul 06 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRFD010PBF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRFD010PBF
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	50 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	1.7A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	200mOhm @ 860mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	13 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	250 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
paquet / caisse:	4-DIP (0.300", 7.62mm)