STB12NM60N-1 | STMicroelectronics STB12NM60N-1 | STB12NM60N-1 Inventory, Best Pricing

STB12NM60N-1

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	STB12NM60N-1
LIXINC Part #	STB12NM60N-1
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	STB12NM60N-1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

STB12NM60N-1 Caractéristiques

Numéro d'article:	STB12NM60N-1
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	MDmesh™ II
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	10A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	410mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	30.5 nC @ 10 V
vg (max):	±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	960 pF @ 50 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	90W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	I2PAK
paquet / caisse:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA