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PMV65XP/MIR

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Numéro d'article	PMV65XP/MIR
LIXINC Part #	PMV65XP/MIR
Fabricant	Nexperia
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PMV65XP/MIR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

PMV65XP/MIR Caractéristiques

Numéro d'article:	PMV65XP/MIR
Marque:	Nexperia
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Nexperia
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.8A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.8V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	74mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	900mV @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	7.7 nC @ 4.5 V
vg (max):	±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	744 pF @ 20 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	480mW (Ta), 4.17W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-236AB
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3