2N6661JTVP02 | Vishay / Siliconix 2N6661JTVP02 | 2N6661JTVP02 Inventory, Best Pricing

2N6661JTVP02

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Numéro d'article	2N6661JTVP02
LIXINC Part #	2N6661JTVP02
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2N6661JTVP02 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

2N6661JTVP02 Caractéristiques

Numéro d'article:	2N6661JTVP02
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	90 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	860mA (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	50 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	725mW (Ta), 6.25W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-39
paquet / caisse:	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can