IPU04N03LB G | IR (Infineon Technologies) IPU04N03LB G | IPU04N03LB G Inventory, Best Pricing

IPU04N03LB G

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IPU04N03LB G
LIXINC Part #	IPU04N03LB G
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPU04N03LB G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IPU04N03LB G Caractéristiques

Numéro d'article:	IPU04N03LB G
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	50A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	4.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 70µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	40 nC @ 5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	5200 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	115W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	P-TO251-3-1
paquet / caisse:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA