PHU108NQ03LT,127 | NXP Semiconductors PHU108NQ03LT,127 | PHU108NQ03LT,127 Inventory, Best Pricing

PHU108NQ03LT,127

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Numéro d'article	PHU108NQ03LT,127
LIXINC Part #	PHU108NQ03LT,127
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 25V 75A IPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PHU108NQ03LT,127 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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PHU108NQ03LT,127 Caractéristiques

Numéro d'article:	PHU108NQ03LT,127
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	TrenchMOS™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	25 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	75A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	16.3 nC @ 4.5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1375 pF @ 12 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	187W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	I-PAK
paquet / caisse:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA