FDN5618P_G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDN5618P_G

FDN5618P_G

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Numéro d'article	FDN5618P_G
LIXINC Part #	FDN5618P_G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FDN5618P_G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 27 - Oct 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FDN5618P_G Caractéristiques

Numéro d'article:	FDN5618P_G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	PowerTrench®
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	1.25A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	170mOhm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	13.8 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	430 pF @ 30 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	500mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SuperSOT-3
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3