TSM2N7000KCT A3G | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM2N7000KCT A3G | TSM2N7000KCT A3G Inventory, Best Pricing

TSM2N7000KCT A3G

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Numéro d'article	TSM2N7000KCT A3G
LIXINC Part #	TSM2N7000KCT A3G
Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TSM2N7000KCT A3G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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TSM2N7000KCT A3G Caractéristiques

Numéro d'article:	TSM2N7000KCT A3G
Marque:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	TSC (Taiwan Semiconductor)
série:	-
emballer:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
état de la pièce:	Discontinued at Digi-Key
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	300mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	0.4 nC @ 4.5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	7.32 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	400mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-92
paquet / caisse:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)