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Numéro d'article | SI6413DQ-T1-E3 |
LIXINC Part # | SI6413DQ-T1-E3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SI6413DQ-T1-E3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | SI6413DQ-T1-E3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | TrenchFET® |
emballer: | Tape & Reel (TR) |
état de la pièce: | Obsolete |
type fet: | P-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 20 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 7.2A (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 1.8V, 4.5V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 10mOhm @ 8.8A, 4.5V |
vgs(th) (max) @ id: | 800mV @ 400µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 105 nC @ 5 V |
vg (max): | ±8V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | - |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 1.05W (Ta) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | 8-TSSOP |
paquet / caisse: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
STU85N3LH5 | MOSFET N-CH 30V 80A IPAK | 950 Plus sur la commande |
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IRLU2703 | MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK | 803 Plus sur la commande |
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IRF7807APBF | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO | 880 Plus sur la commande |
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IXFX20N120 | MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3 | 864 Plus sur la commande |
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STF16N50U | MOSFET N-CH 500V 15A TO220FP | 829 Plus sur la commande |
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IRF7492TR | MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO | 950 Plus sur la commande |
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IXTA74N15T | MOSFET N-CH 150V 74A TO263 | 928 Plus sur la commande |
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IPI12CNE8N G | MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3 | 969 Plus sur la commande |
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IXFR16N80P | MOSFET N-CH ISOPLUS247 | 895 Plus sur la commande |
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SSM3J321T(TE85L,F) | MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM | 977 Plus sur la commande |
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SPA11N60C3IN | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3-31 | 925 Plus sur la commande |
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IRFB23N20D | MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB | 866 Plus sur la commande |
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IRF7471TRPBF | MOSFET N-CH 40V 10A 8SO | 896 Plus sur la commande |
En stock | 10862 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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