ZXMN2A02X8TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN2A02X8TA

ZXMN2A02X8TA

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Numéro d'article	ZXMN2A02X8TA
LIXINC Part #	ZXMN2A02X8TA
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 20V 6.2A 8MSOP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	ZXMN2A02X8TA Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

ZXMN2A02X8TA Caractéristiques

Numéro d'article:	ZXMN2A02X8TA
Marque:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	6.2A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	2.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	20mOhm @ 11A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	18.6 nC @ 4.5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1900 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.1W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-MSOP
paquet / caisse:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)