SPD09P06PL

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Numéro d'article SPD09P06PL
LIXINC Part # SPD09P06PL
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SPD09P06PL Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SPD09P06PL Caractéristiques

Numéro d'article:SPD09P06PL
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:SIPMOS®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Discontinued at Digi-Key
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:9.7A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:250mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:450 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):42W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO252-3
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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