IRFI610G

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Numéro d'article IRFI610G
LIXINC Part # IRFI610G
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRFI610G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRFI610G Caractéristiques

Numéro d'article:IRFI610G
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:2.6A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
rds sur (max) @ id, vgs:-
vgs(th) (max) @ id:-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
vg (max):-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
fonction fet:-
puissance dissipée (max):-
température de fonctionnement:-
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220-3
paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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