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IRF5805

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Numéro d'article	IRF5805
LIXINC Part #	IRF5805
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRF5805 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRF5805 Caractéristiques

Numéro d'article:	IRF5805
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	HEXFET®
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3.8A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	98mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	511 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2W (Ta)
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	Micro6™(TSOP-6)
paquet / caisse:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6