IRF1310NSTRRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF1310NSTRRPBF | IRF1310NSTRRPBF Inventory, Best Pricing

IRF1310NSTRRPBF

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IRF1310NSTRRPBF
LIXINC Part #	IRF1310NSTRRPBF
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRF1310NSTRRPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRF1310NSTRRPBF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRF1310NSTRRPBF
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	HEXFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Discontinued at Digi-Key
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	42A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	36mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1900 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.8W (Ta), 160W (Tc)
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	D2PAK
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB