SI7703EDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI7703EDN-T1-GE3 | SI7703EDN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI7703EDN-T1-GE3

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Numéro d'article	SI7703EDN-T1-GE3
LIXINC Part #	SI7703EDN-T1-GE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 20V 4.3A PPAK1212-8
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SI7703EDN-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

SI7703EDN-T1-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:	SI7703EDN-T1-GE3
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	TrenchFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	4.3A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.8V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	48mOhm @ 6.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 800µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 4.5 V
vg (max):	±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	-
fonction fet:	Schottky Diode (Isolated)
puissance dissipée (max):	1.3W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PowerPAK® 1212-8
paquet / caisse:	PowerPAK® 1212-8