BSB017N03LX3 G | IR (Infineon Technologies) BSB017N03LX3 G | BSB017N03LX3 G Inventory, Best Pricing

BSB017N03LX3 G

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	BSB017N03LX3 G
LIXINC Part #	BSB017N03LX3 G
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSB017N03LX3 G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 20 - Sep 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BSB017N03LX3 G Caractéristiques

Numéro d'article:	BSB017N03LX3 G
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	32A (Ta), 147A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	102 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	7800 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.8W (Ta), 57W (Tc)
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	MG-WDSON-2, CanPAK M™
paquet / caisse:	3-WDSON