IRF3709LPBF

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Numéro d'article IRF3709LPBF
LIXINC Part # IRF3709LPBF
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 30V 90A TO262
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRF3709LPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IRF3709LPBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRF3709LPBF
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:HEXFET®
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:90A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:41 nC @ 5 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2672 pF @ 16 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):3.1W (Ta), 120W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-262
paquet / caisse:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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