PH5330E,115 | NXP Semiconductors PH5330E,115 | PH5330E,115 Inventory, Best Pricing

PH5330E,115

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Numéro d'article	PH5330E,115
LIXINC Part #	PH5330E,115
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK56
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PH5330E,115 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

PH5330E,115 Caractéristiques

Numéro d'article:	PH5330E,115
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	TrenchMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	80A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	5.7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2010 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	62.5W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	LFPAK56, Power-SO8
paquet / caisse:	SC-100, SOT-669