SSM3J307T(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3J307T(TE85L,F) | SSM3J307T(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

SSM3J307T(TE85L,F)

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Numéro d'article	SSM3J307T(TE85L,F)
LIXINC Part #	SSM3J307T(TE85L,F)
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 20V 5A TSM
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SSM3J307T(TE85L,F) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SSM3J307T(TE85L,F) Caractéristiques

Numéro d'article:	SSM3J307T(TE85L,F)
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	U-MOSV
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	5A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	31mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 4.5 V
vg (max):	±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1170 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	700mW (Ta)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TSM
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3