TK4A60DB(STA4,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK4A60DB(STA4,Q,M) | TK4A60DB(STA4,Q,M) Inventory, Best Pricing

TK4A60DB(STA4,Q,M)

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Numéro d'article	TK4A60DB(STA4,Q,M)
LIXINC Part #	TK4A60DB(STA4,Q,M)
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TK4A60DB(STA4,Q,M) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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TK4A60DB(STA4,Q,M) Caractéristiques

Numéro d'article:	TK4A60DB(STA4,Q,M)
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	π-MOSVII
emballer:	Tube
état de la pièce:	Last Time Buy
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3.7A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	540 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	35W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220SIS
paquet / caisse:	TO-220-3 Full Pack