RJK0852DPB-00#J5 | Renesas Electronics America RJK0852DPB-00#J5 | RJK0852DPB-00#J5 Inventory, Best Pricing

RJK0852DPB-00#J5

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	RJK0852DPB-00#J5
LIXINC Part #	RJK0852DPB-00#J5
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RJK0852DPB-00#J5 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RJK0852DPB-00#J5 Caractéristiques

Numéro d'article:	RJK0852DPB-00#J5
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	30A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	12mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	28 nC @ 4.5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	4150 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	55W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	LFPAK
paquet / caisse:	SC-100, SOT-669