VS-ETL015Y120H | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ETL015Y120H

VS-ETL015Y120H

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Numéro d'article	VS-ETL015Y120H
LIXINC Part #	VS-ETL015Y120H
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MOD 1200V 22A 89W EMIPAK-2B
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	VS-ETL015Y120H Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

VS-ETL015Y120H Caractéristiques

Numéro d'article:	VS-ETL015Y120H
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench
configuration:	-
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	22 A
puissance - maximum:	89 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.03V @ 15V, 15A
courant - coupure collecteur (max):	75 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	1.07 nF @ 30 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	EMIPAK-2B
paquet de dispositif de fournisseur:	EMIPAK-2B