FS200R12KT4RBOSA1

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Numéro d'article FS200R12KT4RBOSA1
LIXINC Part # FS200R12KT4RBOSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbt - modules
Description IGBT MOD 1200V 280A 1000W
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FS200R12KT4RBOSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Aug 14 - Aug 18 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FS200R12KT4RBOSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:FS200R12KT4RBOSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbt - modules
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type d'igbt:NPT
configuration:Three Phase Inverter
tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
courant - collecteur (ic) (max):280 A
puissance - maximum:1000 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 200A
courant - coupure collecteur (max):1 mA
capacité d'entrée (cies) @ vce:14 nF @ 25 V
saisir:Standard
thermistance ntc:Yes
température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
paquet / caisse:Module
paquet de dispositif de fournisseur:Module

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