VS-ETF075Y60U | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ETF075Y60U

VS-ETF075Y60U

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	VS-ETF075Y60U
LIXINC Part #	VS-ETF075Y60U
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MOD 600V 109A EMIPAK-2B
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	VS-ETF075Y60U Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

VS-ETF075Y60U Caractéristiques

Numéro d'article:	VS-ETF075Y60U
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench
configuration:	Three Level Inverter
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	109 A
puissance - maximum:	294 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.93V @ 15V, 75A
courant - coupure collecteur (max):	100 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	4.44 nF @ 30 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	175°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	EMIPAK-2B
paquet de dispositif de fournisseur:	EMIPAK-2B