VS-GT100DA120UF | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF

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Numéro d'article	VS-GT100DA120UF
LIXINC Part #	VS-GT100DA120UF
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	VS-GT100DA120UF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

VS-GT100DA120UF Caractéristiques

Numéro d'article:	VS-GT100DA120UF
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	HEXFRED®
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench
configuration:	Single
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	187 A
puissance - maximum:	890 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.55V @ 15V, 100A
courant - coupure collecteur (max):	100 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	6.15 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	SOT-227-4, miniBLOC
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-227