FD200R12KE3HOSA1 | IR (Infineon Technologies) FD200R12KE3HOSA1 | FD200R12KE3HOSA1 Inventory, Best Pricing

FD200R12KE3HOSA1

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Numéro d'article	FD200R12KE3HOSA1
LIXINC Part #	FD200R12KE3HOSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 1200V 1050W
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FD200R12KE3HOSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FD200R12KE3HOSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	FD200R12KE3HOSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench Field Stop
configuration:	Single Chopper
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	-
puissance - maximum:	1050 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 200A
courant - coupure collecteur (max):	5 mA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	14 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	-40°C ~ 125°C
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module