FZ1200R12HE4HOSA2 | IR (Infineon Technologies) FZ1200R12HE4HOSA2 | FZ1200R12HE4HOSA2 Inventory, Best Pricing

FZ1200R12HE4HOSA2

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Numéro d'article	FZ1200R12HE4HOSA2
LIXINC Part #	FZ1200R12HE4HOSA2
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 1200V 1200A
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FZ1200R12HE4HOSA2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FZ1200R12HE4HOSA2 Caractéristiques

Numéro d'article:	FZ1200R12HE4HOSA2
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	*
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	-
configuration:	-
tension - claquage collecteur émetteur (max):	-
courant - collecteur (ic) (max):	-
puissance - maximum:	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
courant - coupure collecteur (max):	-
capacité d'entrée (cies) @ vce:	-
saisir:	-
thermistance ntc:	-
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-