NXH35C120L2C2S1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NXH35C120L2C2S1G

NXH35C120L2C2S1G

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Numéro d'article	NXH35C120L2C2S1G
LIXINC Part #	NXH35C120L2C2S1G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NXH35C120L2C2S1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

NXH35C120L2C2S1G Caractéristiques

Numéro d'article:	NXH35C120L2C2S1G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	-
configuration:	Three Phase Inverter with Brake
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	35 A
puissance - maximum:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 35A
courant - coupure collecteur (max):	250 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	8.33 nF @ 20 V
saisir:	Three Phase Bridge Rectifier
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
paquet de dispositif de fournisseur:	26-DIP