APTGT50DDA120T3G | Roving Networks / Microchip Technology APTGT50DDA120T3G

APTGT50DDA120T3G

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Numéro d'article	APTGT50DDA120T3G
LIXINC Part #	APTGT50DDA120T3G
Fabricant	Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	APTGT50DDA120T3G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

APTGT50DDA120T3G Caractéristiques

Numéro d'article:	APTGT50DDA120T3G
Marque:	Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Roving Networks / Microchip Technology
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench Field Stop
configuration:	Dual Boost Chopper
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	75 A
puissance - maximum:	270 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 50A
courant - coupure collecteur (max):	250 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	3.6 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	SP3
paquet de dispositif de fournisseur:	SP3