FS900R08A2P2B32BOSA1

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Numéro d'article FS900R08A2P2B32BOSA1
LIXINC Part # FS900R08A2P2B32BOSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbt - modules
Description IGBT MODULE PACK2 DRV HYBRID2-1
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FS900R08A2P2B32BOSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 01 - Jul 05 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FS900R08A2P2B32BOSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:FS900R08A2P2B32BOSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbt - modules
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Last Time Buy
type d'igbt:-
configuration:-
tension - claquage collecteur émetteur (max):-
courant - collecteur (ic) (max):-
puissance - maximum:-
vce(on) (max) @ vge, ic:-
courant - coupure collecteur (max):-
capacité d'entrée (cies) @ vce:-
saisir:-
thermistance ntc:-
température de fonctionnement:-
Type de montage:-
paquet / caisse:-
paquet de dispositif de fournisseur:-

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