VS-GT180DA120U | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-GT180DA120U

VS-GT180DA120U

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Numéro d'article	VS-GT180DA120U
LIXINC Part #	VS-GT180DA120U
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	VS-GT180DA120U Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

VS-GT180DA120U Caractéristiques

Numéro d'article:	VS-GT180DA120U
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	HEXFRED®
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench Field Stop
configuration:	Single
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	281 A
puissance - maximum:	1087 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.05V @ 15V, 100A
courant - coupure collecteur (max):	100 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	9350 pF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	SOT-227-4, miniBLOC
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-227