FP15R12W1T4PBPSA1

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Numéro d'article FP15R12W1T4PBPSA1
LIXINC Part # FP15R12W1T4PBPSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbt - modules
Description IGBT MOD 1200V 30A 20MW
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FP15R12W1T4PBPSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FP15R12W1T4PBPSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:FP15R12W1T4PBPSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbt - modules
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:EasyPIM™ 1B
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type d'igbt:Trench Field Stop
configuration:Three Phase Inverter
tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
courant - collecteur (ic) (max):30 A
puissance - maximum:20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:2.25V @ 15V, 15A
courant - coupure collecteur (max):1 mA
capacité d'entrée (cies) @ vce:890 pF @ 25 V
saisir:Three Phase Bridge Rectifier
thermistance ntc:Yes
température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C
Type de montage:Chassis Mount
paquet / caisse:Module
paquet de dispositif de fournisseur:Module

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