CPV363M4K | Vishay General Semiconductor – Diodes Division CPV363M4K

CPV363M4K

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Numéro d'article	CPV363M4K
LIXINC Part #	CPV363M4K
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CPV363M4K Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CPV363M4K Caractéristiques

Numéro d'article:	CPV363M4K
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	-
configuration:	Three Phase Inverter
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	11 A
puissance - maximum:	36 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 11A
courant - coupure collecteur (max):	250 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	0.74 nF @ 30 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	19-SIP (13 Leads), IMS-2
paquet de dispositif de fournisseur:	IMS-2