A1P25S12M3-F | STMicroelectronics A1P25S12M3-F | A1P25S12M3-F Inventory, Best Pricing

A1P25S12M3-F

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Numéro d'article	A1P25S12M3-F
LIXINC Part #	A1P25S12M3-F
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	A1P25S12M3-F Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

A1P25S12M3-F Caractéristiques

Numéro d'article:	A1P25S12M3-F
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench Field Stop
configuration:	Three Phase Inverter
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	25 A
puissance - maximum:	197 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 25A
courant - coupure collecteur (max):	100 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	1550 pF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	ACEPACK™ 1